Vishay SiSH101DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

17,425 €

(ohne MwSt.)

20,725 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 27. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 2250,697 €17,43 €
250 - 6000,683 €17,08 €
625 - 12250,537 €13,43 €
1250 - 24750,432 €10,80 €
2500 +0,378 €9,45 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-5039
Distrelec-Artikelnummer:
304-32-535
Herst. Teile-Nr.:
SiSH101DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiSH101DN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.93mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Verwandte Links