Vishay SiSH101DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

RS Best.-Nr.:: 188-4892
Herst. Teile-Nr.:: SiSH101DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SiSH101DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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RS Best.-Nr.:: 188-4892
Herst. Teile-Nr.:: SiSH101DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet SiSH101DN-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	35 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8SH
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	13 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	52 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	3.3mm
Breite	3.3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	68 nC @ 15 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	0.93mm

Vishay SiSH101DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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