Vishay SiSH101DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

789,00 €

(ohne MwSt.)

939,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 09. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,263 €789,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-4892
Herst. Teile-Nr.:
SiSH101DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiSH101DN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Breite

3.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.93mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Verwandte Links