Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 13.2 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7113DN-T1-GE3

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RS Best.-Nr.:
180-7804
Herst. Teile-Nr.:
SI7113DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.145Ω

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.5nC

Betriebstemperatur min.

50°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.61mm

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC JS709A

Breite

3.61 mm

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der SMD-P-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 134MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 52 W und einen Dauerstrom von 13,2 A. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Es verfügt über Anwendungen in der aktiven Klemme in DC/DC-Zwischennetzteilen. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogen- und bleifrei (Pb)

• Leistungsgehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und geringer Größe und niedrigem Profil von 1,07 mm

• Die maximale und minimale Treiberspannung beträgt 4,5 V und 10 V.

• Die maximale Verlustleistung beträgt 52 W

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -50 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft

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