Vishay SISS N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 60 V / 7 A 19.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- RS Best.-Nr.:
- 829-347
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt sichern
10 weitere Einheiten hinzufügen, um 28% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
1,14 €
(ohne MwSt.)
1,36 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. Dezember 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 1,14 € | - |
| 10 - 99 | 0,82 € | 28% |
| 100 - 499 | 0,50 € | 56% |
| 500 - 999 | 0,35 € | 69% |
| 1000 + | 0,29 € | 74% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-347
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Serie | SISS | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0285Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8SLW | ||
Serie SISS | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0285Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19.8W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 1.04mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der hochmoderne N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt. Er zeichnet sich durch die Reduzierung von schaltbedingten Leistungsverlusten aus und bietet gleichzeitig eine robuste Leistung in verschiedenen Anwendungen.
Verfügt über TrenchFET Gen IV-Technologie für verbesserte Effizienz
Vollständig bleifreies Gerät gewährleistet Umweltverträglichkeit
Optimierte Ladeeigenschaften minimieren Energieverluste
Umfassende Rg- und UIS-Tests garantieren Zuverlässigkeit