Vishay SISS N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 100 V / 14.2 A 24 W, 8-Pin P
- RS Best.-Nr.:
- 829-345
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS110DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
1,03 €
(ohne MwSt.)
1,23 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 27. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,03 € |
| 10 - 99 | 0,64 € |
| 100 - 499 | 0,42 € |
| 500 - 999 | 0,32 € |
| 1000 + | 0,29 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-345
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS110DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | P | |
| Serie | SISS | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.054Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 24W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.3mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße P | ||
Serie SISS | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.054Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 24W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.3mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 1.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay bietet effiziente Leistungsmanagementlösungen mit ausgezeichneten Leitfähigkeiten. Er wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt und bietet eine hervorragende Schalt- und Wärmeleistung.
Verfügt über TrenchFET Gen IV-Technologie für überlegene Effizienz und Leistung
Garantiert 100 % RDS(on) und UIS auf Zuverlässigkeit im Betrieb getestet
Kontinuierlicher Ablassstrom von 11 A gewährleistet eine robuste Lieferung
Optimiert für niedrige RDS(on)-Werte, verbessert die thermische Leistung