Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 30 V / 3.4 A 15.6 W, 6-Pin P
- RS Best.-Nr.:
- 829-363
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA432BDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | P | |
| Serie | SI | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0192Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 15.6W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 2.05mm | |
| Länge | 2.05mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße P | ||
Serie SI | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0192Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 15.6W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 2.05mm | ||
Länge 2.05mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der leistungsstarke N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Seine robuste Konstruktion ermöglicht eine zuverlässige Funktion unter anspruchsvollen Bedingungen.
Die Ablass-Quellenspannung von 30 V ermöglicht einen vielseitigen Anwendungsbereich
Maximaler Widerstand im eingeschalteten Zustand von 0,0192 Ohm bei 10 V verbessert die Energieeffizienz
Konfiguriert als einzelnes Gerät, wodurch Platz und Leistung optimiert werden
Entwickelt mit TrenchFET-Technologie für überlegene Schaltfunktionen
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