Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 30 V / 6 A 19.9 W, 8-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:
829-361
Herst. Teile-Nr.:
SI7804BDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SI

Gehäusegröße

TSOP-6

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0192Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

19.9W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.07mm

Breite

3.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für effiziente DC/DC-Wandlung und Systemstromanwendungen entwickelt und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb innerhalb der angegebenen Spannungsgrenzen.

Die TrenchFET Gen III-Technologie verbessert die Effizienz und Leistung

Garantierte 100 % R-Prüfung gewährleistet hohe Zuverlässigkeit

Material kategorisiert für Konformität, unterstützt Umweltvorschriften

Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 6 A erhöht die Vielseitigkeit

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