Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 3.4 A 104 W, 8-Pin P
- RS Best.-Nr.:
- 829-364
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR580DP-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SI | |
| Gehäusegröße | P | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0192Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SI | ||
Gehäusegröße P | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0192Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 1.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der leistungsstarke N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt. Diese fortschrittliche Komponente eignet sich hervorragend für Aufgaben, die ein hohes Maß an Stromverarbeitung und Spannungsregelung erfordern.
TrenchFET Gen V-Technologie für überlegene Effizienz
Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leistungsverluste
Umfassende Zuverlässigkeitsprüfungen, einschließlich UIS-Prüfung
Optimiert für niedrige R x Q-Leistungsziffer zur Verbesserung der Leistung