Vishay SI P-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus -60 V / -120 A 375 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 829-359
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM120P06-07L_NE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -60V | |
| Serie | SI | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0067Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Breite | 10.28mm | |
| Länge | 10.16mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -60V | ||
Serie SI | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0067Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.57mm | ||
Breite 10.28mm | ||
Länge 10.16mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- GB
Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay für die Automobilindustrie wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet eine robuste Lösung für ein effektives Energiemanagement in Automobilumgebungen.
Die TrenchFET-Technologie erhöht die Effizienz und reduziert den Leistungsverlust
AEC-Q101 qualifiziert für Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen
Geringer Wärmewiderstand sorgt für optimale Wärmeableitung
Ausgezeichneter Einschaltwiderstand bei unterschiedlichen Gate-Spannungen verbessert die Leistung
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