Vishay Einfach SQM Typ P-Kanal 1 TrenchFET Leistungs-MOSFET 60 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-263

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180-7921
Herst. Teile-Nr.:
SQM120P06-07L_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

TrenchFET Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SQM

Gehäusegröße

TO-263

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0067Ω

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

270nC

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Länge

0.625in

Breite

0.41 in

Höhe

0.19in

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q101

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 6.7mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 375W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen and lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• Package low thermal resistance

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Adaptor switches

• Load switches

• Notebook PCs

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