Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 90 A 375 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
180-7421
Herst. Teile-Nr.:
SUM90P10-19L-E3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.019Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

97nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.414 mm

Länge

0.625in

Normen/Zulassungen

RoHS Directive 2002/95/EC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-263-3 package, is a new-age product with a drain-source voltage of 100V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 19mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 375W. It can be used in the primary side switch. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Verwandte Links

Recently viewed