Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 80 V / 110 A 375 W, 3-Pin TO-263 SUM110P08-11L-E3

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Herst. Teile-Nr.:
SUM110P08-11L-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0112Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

85nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.875mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

10.414 mm

Automobilstandard

Nein

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein P-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 11,2 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 375 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• bleifreie Komponente (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• Adapterschalter

• DC/DC-Primärschalter

• Lastschalter

• Strommanagement

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