Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 110 A 375 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
RS Best.-Nr.:
919-0938
Herst. Teile-Nr.:
SUM110P06-07L-E3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0088Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

230nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.875mm

Höhe

4.83mm

Breite

10.414 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
MERKMALE

• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET

• Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links