Vishay SUM110P06-07L-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 110 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 919-0938
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM110P06-07L-E3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MERKMALE
• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET
• Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET
• Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 110 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 3,75 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 9.65mm |
| Länge | 10.41mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 230 nC bei 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 4.83mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 919-0938
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM110P06-07L-E3
- Marke:
- Vishay
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