Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 150 A 375 W, 3-Pin TO-263

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228-2983
Herst. Teile-Nr.:
SUM60061EL-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

145nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay P-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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