- RS Best.-Nr.:
- 228-2991
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP90100E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 228-2991
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP90100E-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay N-Kanal 200 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 150 A |
Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
Serie | TrenchFET |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,0109 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Transistor-Werkstoff | Si |
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