Vishay TrenchFET SUP90100E-GE3 N-Kanal Dual, THT MOSFET 200 V / 150 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 228-2991
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP90100E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 228-2991
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP90100E-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay N-Kanal 200 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 150 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
| Serie | TrenchFET |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0109 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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