Vishay SIR N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 125 A 104 W, 8-Pin P

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RS Best.-Nr.:
829-343
Herst. Teile-Nr.:
SIR680ADP-T1-UE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

125A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SIR

Gehäusegröße

P

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00288Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

5.15mm

Länge

6.15mm

Höhe

1.04mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für effiziente Schaltanwendungen entwickelt und verfügt über ein kompaktes Design, das die Raumnutzung und thermische Leistung in Schaltungsdesigns optimiert.

N-Kanal-80-V-MOSFET mit TrenchFET Gen IV-Technologie für überlegene Leistung

Sehr niedrige R-DS(on)-Nennleistung reduziert den Leistungsverlust während des Betriebs

Impuls-Ablassstromkapazität von 300 A unterstützt anspruchsvolle Anwendungen

Verbesserte thermische Eigenschaften gewährleisten Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen

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