Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 149 A 104 W, 8-Pin P

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RS Best.-Nr.:
829-365
Herst. Teile-Nr.:
SIR580LDP-T1-UE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

149A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

P

Serie

SI

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0026Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

1.04mm

Länge

6.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt und bietet mit seinem geringen Einschaltwiderstand und umfassenden Prüfzertifizierungen eine robuste Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen.

Ausgelegt für eine Ablass-Quellenspannung von 80 V, was einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen gewährleistet

Verfügt über einen maximalen Einschaltwiderstand von nur 0,0026 Ohm bei 10 V, was die Energieeffizienz fördert

Enthält eine niedrige Gate-Schwellenspannung von 1 bis 2,5 V, was die Kompatibilität mit einer Vielzahl von Schaltkreisen verbessert

Bietet einen robusten kontinuierlichen Ablassstrom von 149 A, geeignet für Anwendungen mit hoher Leistung

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