Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 149 A 104 W, 8-Pin P
- RS Best.-Nr.:
- 829-365
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR580LDP-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
2,28 €
(ohne MwSt.)
2,71 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 27. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,28 € |
| 10 - 99 | 1,45 € |
| 100 - 499 | 1,00 € |
| 500 - 999 | 0,84 € |
| 1000 + | 0,74 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-365
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR580LDP-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 149A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SI | |
| Gehäusegröße | P | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0026Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 5.15mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 149A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SI | ||
Gehäusegröße P | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0026Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 5.15mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt und bietet mit seinem geringen Einschaltwiderstand und umfassenden Prüfzertifizierungen eine robuste Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen.
Ausgelegt für eine Ablass-Quellenspannung von 80 V, was einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen gewährleistet
Verfügt über einen maximalen Einschaltwiderstand von nur 0,0026 Ohm bei 10 V, was die Energieeffizienz fördert
Enthält eine niedrige Gate-Schwellenspannung von 1 bis 2,5 V, was die Kompatibilität mit einer Vielzahl von Schaltkreisen verbessert
Bietet einen robusten kontinuierlichen Ablassstrom von 149 A, geeignet für Anwendungen mit hoher Leistung