Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 30 V / 6 A 3.3 W, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 829-360
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3410BDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Serie | SI | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0192Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Serie SI | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0192Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der leistungsstarke N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Lastmanagement in elektronischen Schaltkreisen entwickelt. Er arbeitet mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 30 V und optimiert so den Stromverbrauch in verschiedenen Anwendungen.
Liefert einen maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 6 A, wodurch Zuverlässigkeit unter Last gewährleistet ist
Verfügt über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand von 0,0192 Ohm bei 10 V, was zur Energieeffizienz beiträgt
Hergestellt mit einem kompakten TSOP-6-Gehäuse, das die Integration in platzbeschränkte Designs erleichtert
Enthält Advanced TrenchFET-Technologie für verbesserte Schaltleistung