Vishay SiSS588DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 58,1 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

RS Best.-Nr.:: 239-5404
Herst. Teile-Nr.:: SiSS588DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SiSS588DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 58,1 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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Datasheet - SiSS588DN-T1-GE3

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Produktdetails

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay hat einen Ablaufstrom von 58,1 A. Er wird für synchrone Gleichrichtung, Primärseitigen Schalter, DC/DC-Wandler, OR-ing- und Hot-Swap-Schalter, Netzteile, Motorantriebssteuerung, Batteriemanagement verwendet.

Sehr niedriger RDS x Qg-Fat-of-Merit (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM
100 % Rg und UIS-geprüft

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	58,1 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8S
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay SiSS588DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 58,1 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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