Vishay SIS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 58.1 A 56.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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RS Best.-Nr.:
239-5404
Herst. Teile-Nr.:
SiSS588DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Serie

SIS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.008Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.3 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay hat einen Ablaufstrom von 58,1 A. Er wird für synchrone Gleichrichtung, Primärseitigen Schalter, DC/DC-Wandler, OR-ing- und Hot-Swap-Schalter, Netzteile, Motorantriebssteuerung, Batteriemanagement verwendet.

Sehr niedriger RDS x Qg-Fat-of-Merit (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM

100 % Rg und UIS-geprüft

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