Vishay SiSS5623DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 36.3 A 56.8 W, 8-Pin 1212-8S

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)*

8,78 €

(ohne MwSt.)

10,448 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 6.000 Einheit(en) mit Versand ab 23. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
4 - 562,195 €8,78 €
60 - 962,105 €8,42 €
100 - 2361,863 €7,45 €
240 - 9961,83 €7,32 €
1000 +1,798 €7,19 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
280-0001
Herst. Teile-Nr.:
SISS5623DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SiSS5623DN

Gehäusegröße

1212-8S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.046Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

Leistungs-MOSFET der neuen Generation

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

FOM-Produkt mit extrem niedrigem RDS x Qg

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

Verwandte Links