Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40.7 A 52 W, 8-Pin 1212-8S

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

8,16 €

(ohne MwSt.)

9,71 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,632 €8,16 €
50 - 951,388 €6,94 €
100 - 2451,234 €6,17 €
250 - 9951,21 €6,05 €
1000 +1,184 €5,92 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
279-9996
Herst. Teile-Nr.:
SISS5112DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SISS

Gehäusegröße

1212-8S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0149Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

Verwandte Links