Vishay SISS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 59.2 A 56.8 W, 8-Pin 1212-8S

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RS Best.-Nr.:
279-9988
Herst. Teile-Nr.:
SISS4409DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

SISS

Gehäusegröße

1212-8S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.009Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

126nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

Leistungs-MOSFET der neuen Generation

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

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