Vishay N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor 30 V / 5.4 A 1600 mW, 8-Pin PowerPAK 1212

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
699-7345
Herst. Teile-Nr.:
SI7501DN-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

5.4 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

35 mΩ, 51 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

1600 mW

Gate-Source Spannung max.

-25 V, -20 V, +20 V, +25 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12,5 nC @ 10 V, 9 nC @ 10 V

Breite

3.05mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

3.05mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.04mm

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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