Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 8.7 A 3.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

RS Best.-Nr.:: 180-7745
Herst. Teile-Nr.:: SI7414DN-T1-E3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 8.7 A 3.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:: 180-7745
Herst. Teile-Nr.:: SI7414DN-T1-E3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.025Ω
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	25nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	3.8W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.12mm
	Breite	3.61 mm
	Länge	3.61mm
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße PowerPAK 1212-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.025Ω
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 3.8W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.12mm
	Breite 3.61 mm
	Länge 3.61mm
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der SMD-N-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 25 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 1,5 W und einen Dauerstrom von 5,6 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• PWM-optimiert

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• Motortreiber

• Primärseitige Schalter

• Synchroner Gleichrichter

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21