Vishay Si9407BDY Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 4.7 A 5 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

18,92 €

(ohne MwSt.)

22,52 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 800,946 €18,92 €
100 - 1800,719 €14,38 €
200 - 4800,662 €13,24 €
500 - 9800,52 €10,40 €
1000 +0,492 €9,84 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
818-1444
Herst. Teile-Nr.:
SI9407BDY-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

TrenchFET Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

Si9407BDY

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.12Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.55mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links