Vishay Si9407BDY Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 4.7 A 5 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
165-6283
Herst. Teile-Nr.:
SI9407BDY-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

TrenchFET Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

Si9407BDY

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.12Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.55mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Breite

4 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links