Vishay Si9407BDY Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 4.7 A 5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
165-6283
Herst. Teile-Nr.:
SI9407BDY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

TrenchFET Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

Si9407BDY

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.12Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Länge

5mm

Breite

4 mm

Höhe

1.55mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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