Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 3.8 A 3.1 W, 8-Pin ChipFET

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RS Best.-Nr.:
919-4325
Herst. Teile-Nr.:
SI5935CDC-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

ChipFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

156mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Breite

1.7 mm

Länge

3.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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