Vishay Si2367DS Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 20 V / 3.8 A 1.7 W, 3-Pin SI2367DS-T1-GE3 SOT-23

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812-3136
Herst. Teile-Nr.:
SI2367DS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

Si2367DS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.066Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Breite

1.4 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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