Vishay SI2333DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 787-9222
Herst. Teile-Nr.:: SI2333DDS-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI2333DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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10 - 90	0,486 €	4,86 €
100 - 490	0,457 €	4,57 €
500 - 990	0,412 €	4,12 €
1000 - 2490	0,389 €	3,89 €
2500 +	0,365 €	3,65 €
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RS Best.-Nr.:: 787-9222
Herst. Teile-Nr.:: SI2333DDS-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	6 A
Drain-Source-Spannung max.	12 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	19 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	1,7 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	3.04mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	23 nC @ 8 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	1.4mm
Höhe	1.02mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

RS Best.-Nr.:: 787-9222
Herst. Teile-Nr.:: SI2333DDS-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI2333DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor

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