Vishay SI2324BDS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.9 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
- RS Best.-Nr.:
- 736-344
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2324BDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 (TO-236AB) | |
| Serie | SI2324BDS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.21Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.86nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.7W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-23 (TO-236AB) | ||
Serie SI2324BDS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.21Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.86nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.7W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde zur Optimierung von Power-Management-Anwendungen entwickelt und verfügt über eine robuste 100-V-Ablass-Quellenspannung und verbesserte thermische Eigenschaften für einen effizienten Betrieb.
Die hohe Wärmebeständigkeit erhöht die Zuverlässigkeit
Entwickelt für LED-Hintergrundbeleuchtung und DC/DC-Wandleranwendungen
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