Vishay Si2309CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -60 V / 1.2 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23

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710-3250
Herst. Teile-Nr.:
SI2309CDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

Si2309CDS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

345mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Breite

1.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

MOSFET der Serie Si2309CDS von Vishay, -60 V Drain-Quellenspannung, 1,2 A kontinuierlicher Drain-Strom – SI2309CDS-T1-GE3


Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Transistor, der für Schalt- und Steuerungsaufgaben in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Mode-Gerät, das für Schaltkreise mit niedrigem bis mittlerem Strom geeignet ist und ein Gleichgewicht zwischen Spannungsbelastbarkeit und thermischer Beständigkeit für industrielle Anwendungen bietet.

Merkmale und Vorteile:


• -60 V max. Vds für Hochspannungsschaltfähigkeit • 1,2 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Lastverarbeitung • 345 mΩ Rds(on) für vorhersehbare Leitungsverluste • 2,7 nC typische Gate-Ladung für effiziente Gate-Ansteuerung • 1,7 W Verlustleistung zur Unterstützung der thermischen Budgetplanung • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C für Umgebungen mit breitem Temperaturbereich

Anwendungen


• Geeignet für Lastschaltvorgänge in Automationssteuerungsmodulen • Ideal für Power-Rail-Verpolungsschutzschaltkreise • Wird mit Batteriemanagement- und Stromverteilerplatinen verwendet • Kann für Pegelverschiebungs- und Kleinsignal-Leistungsstufen verwendet werden

Welcher Gehäusetyp wird für kompakte Leiterplattenlayouts verwendet?


Es wird in einem SOT‐23-Gehäuse geliefert, das für die Drei-Pin-Oberflächenmontage konfiguriert ist und eine dichte Leiterplattenmontage ermöglicht.

Wie erfüllt das Gerät die Anforderungen an die Gate-Ansteuerung?


Das Gate kann innerhalb eines Bereichs von ±20 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden, was die Kompatibilität mit gängigen Steuerspannungen ermöglicht und gleichzeitig die Gate-Spannung begrenzt.

Welche thermischen Überlegungen sollte ich bei der Konstruktion zulassen?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 1,7 W sollten Leiterplattenkupfer und Wärmeleitungen so dimensioniert sein, dass sie die Sperrschichttemperatur unter Last innerhalb des angegebenen Bereichs von -55 °C bis 150 °C bewältigen.

Gibt es Umwelt- oder Materialbeschränkungen zu beachten?


Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen, was bedeutet, dass in ihrer Herstellung eingeschränkte gefährliche Stoffe kontrolliert werden.

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