Vishay SI2309CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1.2 A 1000 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 710-3250
Herst. Teile-Nr.:: SI2309CDS-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI2309CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1.2 A 1000 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 710-3250
Herst. Teile-Nr.:: SI2309CDS-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	1.2 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	345 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	1000 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	2,7 nC @ 4,5 V
Länge	3.04mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	1.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.02mm

Vishay SI2309CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1.2 A 1000 mW, 3-Pin SOT-23

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

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