Vishay Si2309CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.2 A 1 W, 3-Pin SI2309CDS-T1-GE3 SOT-23

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

3,78 €

(ohne MwSt.)

4,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 150 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
  • Zusätzlich 13.770 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +0,378 €3,78 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
710-3250
Herst. Teile-Nr.:
SI2309CDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

Si2309CDS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

345mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Breite

1.4 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links