Vishay Si2301CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 860 mW, 3-Pin SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23

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710-3238
Herst. Teile-Nr.:
SI2301CDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

Si2301CDS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

112mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

860mW

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.5nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Breite

1.4 mm

Höhe

1.02mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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