Vishay Si2308BDS Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 2.3 A 1.66 W, 3-Pin SI2308BDS-T1-GE3 SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
SI2308BDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

Si2308BDS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.192Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.66W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.3nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Höhe

1.02mm

Länge

3.04mm

Breite

1.4 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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