Vishay Si2309CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.2 A 1 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
919-0262
Herst. Teile-Nr.:
SI2309CDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

Si2309CDS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

345mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.7nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.02mm

Breite

1.4 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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