Vishay Si2309CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -60 V / 1.2 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 919-0262
Herst. Teile-Nr.:: SI2309CDS-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Si2309CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -60 V / 1.2 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:: SI2309CDS-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-60V
	Serie	Si2309CDS
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	345mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	2.7nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	1.7W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.04mm
	Höhe	1.02mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	1.4mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -60V
	Serie Si2309CDS
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 345mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.7nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 1.7W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.04mm
	Höhe 1.02mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 1.4mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

MOSFET der Serie Si2309CDS von Vishay, -60 V Drain-Quellenspannung, 1,2 A kontinuierlicher Drain-Strom – SI2309CDS-T1-GE3

Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Transistor, der für Schalt- und Steuerungsaufgaben in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Mode-Gerät, das für Schaltkreise mit niedrigem bis mittlerem Strom geeignet ist und ein Gleichgewicht zwischen Spannungsbelastbarkeit und thermischer Beständigkeit für industrielle Anwendungen bietet.

Merkmale und Vorteile:

• -60 V max. Vds für Hochspannungsschaltfähigkeit • 1,2 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Lastverarbeitung • 345 mΩ Rds(on) für vorhersehbare Leitungsverluste • 2,7 nC typische Gate-Ladung für effiziente Gate-Ansteuerung • 1,7 W Verlustleistung zur Unterstützung der thermischen Budgetplanung • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C für Umgebungen mit breitem Temperaturbereich

Anwendungen

• Geeignet für Lastschaltvorgänge in Automationssteuerungsmodulen • Ideal für Power-Rail-Verpolungsschutzschaltkreise • Wird mit Batteriemanagement- und Stromverteilerplatinen verwendet • Kann für Pegelverschiebungs- und Kleinsignal-Leistungsstufen verwendet werden

Welcher Gehäusetyp wird für kompakte Leiterplattenlayouts verwendet?

Es wird in einem SOT‐23-Gehäuse geliefert, das für die Drei-Pin-Oberflächenmontage konfiguriert ist und eine dichte Leiterplattenmontage ermöglicht.

Wie erfüllt das Gerät die Anforderungen an die Gate-Ansteuerung?

Das Gate kann innerhalb eines Bereichs von ±20 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden, was die Kompatibilität mit gängigen Steuerspannungen ermöglicht und gleichzeitig die Gate-Spannung begrenzt.

Welche thermischen Überlegungen sollte ich bei der Konstruktion zulassen?

Mit einer maximalen Verlustleistung von 1,7 W sollten Leiterplattenkupfer und Wärmeleitungen so dimensioniert sein, dass sie die Sperrschichttemperatur unter Last innerhalb des angegebenen Bereichs von -55 °C bis 150 °C bewältigen.

Gibt es Umwelt- oder Materialbeschränkungen zu beachten?

Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen, was bedeutet, dass in ihrer Herstellung eingeschränkte gefährliche Stoffe kontrolliert werden.