Vishay Si2377EDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.5 A 1.8 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
812-3145
Herst. Teile-Nr.:
SI2377EDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

Si2377EDS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

165mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.02mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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