Vishay SI2377EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 1,8 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-6912
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2377EDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 165-6912
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2377EDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 165 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
| Verlustleistung max. | 1,8 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
| Breite | 1.4mm |
| Länge | 3.04mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 8 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 1.02mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 165-6912
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2377EDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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