Vishay Si2305CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 4.4 A 960 mW, 3-Pin SI2305CDS-T1-GE3 SOT-23

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RS Best.-Nr.:
710-3248
Herst. Teile-Nr.:
SI2305CDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

8V

Serie

Si2305CDS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

960mW

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Breite

1.4 mm

Höhe

1.02mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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