Vishay Si2305CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 4.4 A 960 mW, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

330,00 €

(ohne MwSt.)

390,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 48.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 30000,11 €330,00 €
6000 +0,105 €315,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
919-0269
Herst. Teile-Nr.:
SI2305CDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

8V

Serie

Si2305CDS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

960mW

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.02mm

Breite

1.4 mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links