Vishay SI2305CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 4,4 A 960 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 919-0269
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2305CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
54000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,149 €
(ohne MwSt.)
0,177 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 3000 - 3000 | 0,149 € | 447,00 € |
| 6000 + | 0,142 € | 426,00 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 919-0269
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2305CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,4 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 8 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 35 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
| Verlustleistung max. | 960 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12 nC bei 4,5 V, 20 nC bei 8 V |
| Länge | 3.04mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 1.4mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 1.02mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 919-0269
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2305CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Verwandte Produkte
- Vishay SI2301CDS-T1-GE3 P-Kanal3 A 860 mW, 3-Pin SOT-23
- Vishay TP0610K-T1-GE3 P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2319CDS-T1-GE3 P-Kanal4 A 2 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2303CDS-T1-GE3 P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2333CDS-T1-GE3 P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2305CDS-T1-GE3 P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2309CDS-T1-GE3 P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2393DS-T1-GE3 P-Kanal1 A SOT-23