onsemi NTR2101PT1G P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,7 A 960 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 790-5274
Herst. Teile-Nr.:: NTR2101PT1G
Marke:: onsemi

onsemi NTR2101PT1G P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,7 A 960 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 790-5274
Herst. Teile-Nr.:: NTR2101PT1G
Marke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	3,7 A
Drain-Source-Spannung max.	8 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	120 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1V
Verlustleistung max.	960 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Breite	1.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12 nC @ 4,5 V
Länge	3.04mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.01mm

onsemi NTR2101PT1G P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,7 A 960 mW, 3-Pin SOT-23

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 8V, ON Semiconductor

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