Teile-Nr.

onsemi NTR2101P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 3.7 A 960 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 162-9612
Herst. Teile-Nr.:: NTR2101PT1G
Marke:: onsemi

onsemi NTR2101P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 3.7 A 960 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 162-9612
Herst. Teile-Nr.:: NTR2101PT1G
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	8V
	Serie	NTR2101P
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	120mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	960mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	12nC
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.04mm
	Höhe	1.01mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 8V
	Serie NTR2101P
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 960mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.04mm
	Höhe 1.01mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

onsemi NTR2101P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 3.7 A 960 mW, 3-Pin SOT-23

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 8V, ON Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

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