Vishay SI4214DDY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 919-0281
Herst. Teile-Nr.:: SI4214DDY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI4214DDY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 919-0281
Herst. Teile-Nr.:: SI4214DDY-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7,5 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	19,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	2 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14,5 nC bei 10 V, 7,1 nC bei 4,5 V
Breite	4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C