Vishay SI4564DY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 7,2 A; 8 A 3,1 W, 3,2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 812-3230
Herst. Teile-Nr.:: SI4564DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI4564DY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 7,2 A; 8 A 3,1 W, 3,2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 812-3230
Herst. Teile-Nr.:: SI4564DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Si4564DY, N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	7,2 A; 8 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	20 mΩ, 28 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.8V
Verlustleistung max.	3,1 W, 3,2 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, -16 V, +16 V, +20 V
Breite	4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	20,5 nC @ 10 V, 41,5 nC @ 10 V
Länge	5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.55mm

Vishay SI4564DY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 7,2 A; 8 A 3,1 W, 3,2 W, 8-Pin SOIC

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

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