Vishay TrenchFET SIR401DP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 A 39 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 787-9342
Herst. Teile-Nr.:: SIR401DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET SIR401DP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 A 39 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Herst. Teile-Nr.:: SIR401DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

SiR401DP, P-Channel 20V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	50 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	7,7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.6V
Verlustleistung max.	39 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Breite	5.26mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	6.25mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	205 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.12mm

Vishay TrenchFET SIR401DP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 A 39 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

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