Vishay TrenchFET SI4447ADY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 7,2 A, 8-Pin SO-8

Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 45 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 4,2 W und einen Dauerstrom von 7,2 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

• Adapterschalter
• Lastschalter
• Notebook-PCs

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft