Vishay SI3437DV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 1.4 A, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 256-7351
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3437DV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Serie | SI3437DV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Serie SI3437DV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie SI3437DV von Vishay, 150 V Drain-Source-Spannung, 0,79 Ω Drain-Source-Widerstand – SI3437DV-T1-GE3
Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein SMD-Leistungstransistor, der für Hochspannungsschalt- und Leistungsmanagementfunktionen in elektronischen Systemen vorgesehen ist. Er ist für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich für den Einsatz in industriellen und gewerblichen Geräten ausgelegt und bietet eine gate-gesteuerte Leitfähigkeit für Anwendungen, die eine positive Gate-Source-Schwelle in einer Umgebung mit negativem Drain erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Hohe Nennspannung ermöglicht das Schalten bei 150 V für Stromkreise • Niedriger Einschaltwiderstand minimiert Leitungsverluste bei 0,79 Ω • Dauerstromfähigkeit unterstützt Dauerlasten bis zu 1,4 A • Typische Gate-Ladung 8 nC ermöglicht effiziente Gate-Ansteuerung und schnelleres Schalten • Maximale Verlustleistung 3,2 W hilft bei der thermischen Budgetlierung in kompakten Designs • Die Gate-Source-Beständigkeit von 20 V ermöglicht eine robuste Antriebsspanne für Steuerungsstufen
Anwendungen
• Geeignet für synchrone Lastschaltung in industriellen Steuerungen • Ideal für Polaritäts- und High-Side-Schaltung in Energiemanagementsystemen • Wird für das Batteriemanagement in der Kfz-Hilfselektronik verwendet • Kann für DC/DC-Wandlerstufen mit niedrigem bis mittlerem Strom verwendet werden • Wird mit kompakten Baugruppen für die Oberflächenmontage verwendet, bei denen die Höhe entscheidend ist
Welche thermische Umgebung kann es für einen robusten Betrieb tolerieren?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt, was den Einsatz unter weiten Umgebungsbedingungen und erhöhten Anschlussstellen ermöglicht.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Layout auf Board-Ebene aus?
Das oberflächenmontierbare TSOP-6-Gehäuse mit sechs Stiften ermöglicht eine kompakte Platzierung und Wärmeleitpfade für Leistungsdesigns mit kleinem Platzbedarf.
Was sollte in Bezug auf die Anforderungen an den Gate-Antrieb berücksichtigt werden?
Das Gate muss innerhalb eines Bereichs von ±20 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden, und die typische Gate-Ladung von 8 nC informiert die Treibergröße, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit zu erreichen.
Wie verhält sich das Gerät bei kontinuierlicher elektrischer Last?
Es ist für einen maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 1,4 A und eine Verlustleistung von 3,2 W spezifiziert, die zur Vergrößerung der Leiterplatten-Kupferfläche und jeder Wärmeableitung verwendet werden sollte.
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