Vishay SI3483DDV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -6.4 A 3 W, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 256-7359
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3483DDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -6.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Serie | SI3483DDV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0513Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -6.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Serie SI3483DDV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0513Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SI3483DDV-Serie von Vishay, 3 W maximale Verlustleistung, -30 V maximale Drain-Source-Spannung - SI3483DDV-T1-GE3
Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Schalttransistor, der für die elektronische Leistungssteuerung in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Niederspannungsanwendungen, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine effiziente Leitfähigkeit erfordern. Das Gerät wird in einem TSOP-6-Gehäuse geliefert und ist für Standard-RoHS-Fertigungsumgebungen spezifiziert.
Merkmale und Vorteile:
• Niedrige Rds(on) von 0,0513 Ω ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von -6,4 A unterstützt moderate Lastströme
• Die Drain-Source-Nennspannung von -30 V ermöglicht das Schalten bei niedriger Spannung
• Gate-Schwellwert, der Vgs bis zu 16 V ermöglicht, bietet einen flexiblen Antriebsbereich
• Eine typische Gate-Ladung von 4,5 nC sorgt für schnelleres Schalten und erhöht die Effizienz
• Die Verlustleistung von 3 W begrenzt die thermische Belastung für kompakte Designs
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von -6,4 A unterstützt moderate Lastströme
• Die Drain-Source-Nennspannung von -30 V ermöglicht das Schalten bei niedriger Spannung
• Gate-Schwellwert, der Vgs bis zu 16 V ermöglicht, bietet einen flexiblen Antriebsbereich
• Eine typische Gate-Ladung von 4,5 nC sorgt für schnelleres Schalten und erhöht die Effizienz
• Die Verlustleistung von 3 W begrenzt die thermische Belastung für kompakte Designs
Anwendungen
• Wird zum Schutz vor Verpolung der Batterie in tragbarer Elektronik verwendet
• Geeignet für Lastschaltvorgänge in Stromverteilungsschienen
• Ideal für High-Side-Schaltvorgänge in Batteriemanagementsystemen
• Kann für USB-Strompfad-Auswahlschaltkreise verwendet werden
• Wird mit Motor-Treiber-Gates in Niederspannungsanlagen verwendet
• Geeignet für Lastschaltvorgänge in Stromverteilungsschienen
• Ideal für High-Side-Schaltvorgänge in Batteriemanagementsystemen
• Kann für USB-Strompfad-Auswahlschaltkreise verwendet werden
• Wird mit Motor-Treiber-Gates in Niederspannungsanlagen verwendet
Welche thermischen Extreme kann das Gerät im Betrieb tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter rauen Umgebungsbedingungen und bei erhöhten Temperaturen auf der Leiterplatte.
Wie viele Stifte und welche Montageart wird verwendet?
Das Gehäuse verfügt über sechs Pins und ist für die Oberflächenmontage auf belegten Boards vorgesehen.
Welcher Kanaltyp und welche Leitungspolarität ist zu erwarten?
Der Transistor ist ein P-Kanal-Gerät, sodass die Quellen- und Ablassrollen mit P-Typ-Schaltkonfigurationen übereinstimmen.
Ist dies für die Anforderungen von Automobilstandards geeignet?
Es ist nicht als Komponente für den Automobilstandard ausgewiesen und sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es spezifische Qualifikationskriterien für den Automobilbereich erfüllt.