Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,9 A 1,1 W, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:
170-8323
Herst. Teile-Nr.:
SI3499DV-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

3,9 A

Drain-Source-Spannung max.

8 V

Gehäusegröße

TSOP-6

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

48 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.35V

Verlustleistung max.

1,1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-5 V, +5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

28 nC @ 4,5 V

Länge

3.1mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
TW

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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