Vishay SI3499DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,9 A 1,1 W, 6-Pin TSOP-6

RS Best.-Nr.:: 812-3173
Herst. Teile-Nr.:: SI3499DV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI3499DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,9 A 1,1 W, 6-Pin TSOP-6

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Ursprungsland:: TW

Produktdetails

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	3,9 A
Drain-Source-Spannung max.	8 V
Gehäusegröße	TSOP-6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	48 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.35V
Verlustleistung max.	1,1 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-5 V, +5 V
Breite	1.7mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	28 nC @ 4,5 V
Länge	3.1mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1mm

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Herst. Teile-Nr.:: SI3499DV-T1-GE3
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