Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,9 A 1,1 W, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 812-3173
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3499DV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,645 € | 12,90 € |
| 100 - 180 | 0,529 € | 10,58 € |
| 200 - 480 | 0,516 € | 10,32 € |
| 500 - 980 | 0,451 € | 9,02 € |
| 1000 + | 0,426 € | 8,52 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 812-3173
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3499DV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 8 V | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 48 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.35V | |
| Verlustleistung max. | 1,1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -5 V, +5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 28 nC @ 4,5 V | |
| Länge | 3.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 3,9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 8 V | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 48 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.35V | ||
Verlustleistung max. 1,1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -5 V, +5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 28 nC @ 4,5 V | ||
Länge 3.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- TW