Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 4.2 W, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 904-971
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3462DV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.023Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.023Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet eine außergewöhnliche Leistung für Schaltanwendungen, bietet eine zuverlässige Steuerung in anspruchsvollen elektronischen Schaltkreisen und gewährleistet einen effizienten Betrieb in verschiedenen Umgebungen.
N-Kanal-Struktur unterstützt effektives Schalten mit minimalem Widerstand im eingeschalteten Zustand
Maximale Drain-Source-Nennspannung von 60 V erhöht die Vielseitigkeit in der Anwendung
Niedrige Gate-Source-Schwellenspannung gewährleistet Kompatibilität mit einer Vielzahl von Antriebsschaltkreisen
Optimiert für thermische Leistung mit einem geringen Wärmewiderstand, wodurch die Effizienz erhöht wird
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