Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP

RS Best.-Nr.:: 165-6919
Herst. Teile-Nr.:: SI3993CDV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP

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RS Best.-Nr.:: 165-6919
Herst. Teile-Nr.:: SI3993CDV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	TSOP
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	188mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	1.4W
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	5.2nC
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Höhe	1mm
	Länge	3.1mm
	Breite	1.7mm
	Normen/Zulassungen	No
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße TSOP
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 188mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 1.4W
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.2nC
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Höhe 1mm
	Länge 3.1mm
	Breite 1.7mm
	Normen/Zulassungen No
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Leistungs-MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 30 V Drain-Source-Spannung, 2,3 A kontinuierlicher Drain-Strom – SI3993CDV-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein oberflächenmontierter P-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Lastmanagementfunktionen in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er bietet eine isolierte Transistorkonfiguration in einem flachen TSOP-Gehäuse und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung in einer 30-V-Spannungsumgebung erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• P-Kanal-Enhancement-Modus ermöglicht einfache High-Side-Schaltung
• Der kontinuierliche Spitzen-Ablassstrom von 2,3 A unterstützt moderate Lasten
• Niedrige Rds(on) bei 188 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Eine typische Gate-Ladung von 5,2 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• Maximale Verlustleistung von 1,4 W verwaltet die thermische Belastung in kleinen Boards
• Das oberflächenmontierbare 6-polige Gehäuse ermöglicht eine kompakte Platzierung der Leiterplatte

Anwendungen

• Geeignet für batteriebetriebene High-Side-Schaltkreise
• Ideal für die Trennung von Gleichstromlasten und die Blockierung von Rückstrom
• Wird mit Power-Management-Modulen in Verbrauchergeräten verwendet
• Kann für die Pegelverschiebung der Gate-Steuerung in kompakten Baugruppen verwendet werden

Welche Gate-Treiberbeschränkungen sollte ich berücksichtigen?

Das Gerät nimmt bis zu ±20 V zwischen Gate und Quelle auf, sodass Gate-Drive-Schaltkreise Vgs innerhalb dieses Bereichs halten müssen, um Gate-Spannungen zu vermeiden.

Wie tolerant ist es für extreme Temperaturen während des Betriebs?

Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit starken thermischen Schwankungen.

Wie viele Transistorelemente enthält die Matrize und wie hoch ist die Anzahl der Gehäusestifte?

Der Chip integriert zwei Elemente und das Gehäuse verfügt über sechs Pins für Leiterplattenanschlüsse.

Wie hoch ist die maximale Ablass-Quellenspannung und wie wirkt sich dies auf das Schaltungsdesign aus?

Der MOSFET ist für 30 V zwischen Drain und Quelle ausgelegt, daher sollte er verwendet werden, wenn Versorgungsschienen und transiente Bedingungen unter diesem Schwellenwert bleiben.