Vishay SI3993CDV-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A 1,4 W, 6-Pin TSOP-6

RS Best.-Nr.:: 165-6919
Herst. Teile-Nr.:: SI3993CDV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI3993CDV-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A 1,4 W, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:: 165-6919
Herst. Teile-Nr.:: SI3993CDV-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	2,3 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	TSOP-6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	188 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	1,4 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Breite	1.7mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	3.1mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	5,2 nC @ 10 V
Höhe	1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C